Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.52 Ω 1200 V, 12 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-4803P
Codice costruttore:
SCT10N120AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.52Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

4.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

34.95mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics ha una variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto alla resistenza in stato attivo temperatura. Ha una capacità di temperatura d'esercizio molto elevata.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza