MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.59 Ω 1.2 kV, 65 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin SCT50N120
- Codice RS:
- 202-5479P
- Codice costruttore:
- SCT50N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 202-5479P
- Codice costruttore:
- SCT50N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.59Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 318W | |
| Tensione diretta Vf | 3.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 122nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Altezza | 34.95mm | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.59Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 318W | ||
Tensione diretta Vf 3.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 122nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Altezza 34.95mm | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza