MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.02 Ω 650 V, 95 A Depletion, H2PAK, Superficie, 7 Pin
- Codice RS:
- 202-5481P
- Codice costruttore:
- SCTH100N65G2-7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
1124,50 €
(IVA esclusa)
1372,00 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 50 unità per ottenere la consegna gratuita
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 08 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 99 | 22,49 € |
| 100 - 249 | 21,91 € |
| 250 - 499 | 21,34 € |
| 500 + | 20,81 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5481P
- Codice costruttore:
- SCTH100N65G2-7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 95A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.02Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione diretta Vf | 2.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 162nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 360W | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.8 mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 15.25mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 95A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.02Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione diretta Vf 2.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 162nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 360W | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.8 mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 15.25mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza