MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.02 Ω 650 V, 95 A Depletion, H2PAK, Superficie, 7 Pin
- Codice RS:
- 202-5481P
- Codice costruttore:
- SCTH100N65G2-7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 202-5481P
- Codice costruttore:
- SCTH100N65G2-7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 95A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo di package | H2PAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.02Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 360W | |
| Tensione diretta Vf | 2.8V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 162nC | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Larghezza | 4.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 15.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 95A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Tipo di package H2PAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.02Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 360W | ||
Tensione diretta Vf 2.8V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 162nC | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Larghezza 4.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 15.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza