MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.105 Ω 1200 V, 100 A Depletion, H2PAK, Superficie, 7 Pin SCTW100N65G2AG
- Codice RS:
- 202-5486P
- Codice costruttore:
- SCTW100N65G2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
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- Codice RS:
- 202-5486P
- Codice costruttore:
- SCTW100N65G2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.105Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione diretta Vf | 2.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 162nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 420W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Altezza | 34.95mm | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.105Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione diretta Vf 2.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 162nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 420W | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Altezza 34.95mm | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza