Moduli MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.09 Ω 1.2 kV, 45 A Depletion, Hip-247, Foro passante, 3 Pin SCTWA30N120
- Codice RS:
- 202-5494P
- Codice costruttore:
- SCTWA30N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 202-5494P
- Codice costruttore:
- SCTWA30N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Moduli MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.09 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 1.2 kV | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 45 A | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Serie | SCT | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Moduli MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.09 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 1.2 kV | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 45 A | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Serie SCT | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance