Moduli MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.115 Ω 600 V, 25 A Depletion, TO-220FP, Foro passante, 3 Pin STF33N60DM6
- Codice RS:
- 202-5510P
- Codice costruttore:
- STF33N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 202-5510P
- Codice costruttore:
- STF33N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | Moduli MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | ST | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.115Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto Moduli MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie ST | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.115Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics fa parte della serie di diodi di recupero rapido MDmeshTM DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, il DM6 combina carica di recupero (Qrr), tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento dell'RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato.
Bassa resistenza di ingresso gate
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Protezione Zener