MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6.82 mΩ Miglioramento, 201 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 202-5688P
- Codice costruttore:
- NTB004N10G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
357,00 €
(IVA esclusa)
435,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1835 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 7,14 € |
| 100 + | 6,192 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5688P
- Codice costruttore:
- NTB004N10G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 201A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | NTB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.82mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 340W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 175nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free and are RoHS | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.63mm | |
| Altezza | 15.88mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 201A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie NTB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.82mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 340W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 175nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free and are RoHS | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.63mm | ||
Altezza 15.88mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza on Semiconductor funziona con 201 Ampere e 100 V. Può essere utilizzato in sistemi hot swap a 48 V.
Bassa resistenza da drain a source ON
Capacità di corrente elevata
Ampia area di lavoro sicura
Senza piombo
Senza alogeni
Conformità RoHS