MOSFET onsemi, canale N 1200 V, 40 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 202-5690P
- Codice costruttore:
- NTBG040N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 202-5690P
- Codice costruttore:
- NTBG040N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 357W | |
| Tensione diretta Vf | 3.7V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 15.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie NTB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 357W | ||
Tensione diretta Vf 3.7V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 106nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 15.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 60 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.
Resistenza all'accensione da drain a source 40mO
Carica di gate ultra bassa
Testato con effetto valanga al 100%
Senza piombo
Conformità RoHS