MOSFET onsemi, canale N 1.2 kV, 40 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5690P
Codice costruttore:
NTBG040N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

NTB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Dissipazione di potenza massima Pd

357W

Tensione diretta Vf

3.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

15.7mm

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.2mm

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 60 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.

Resistenza all'accensione da drain a source 40mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

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