MOSFET onsemi, canale N 1.2 kV, 224 mΩ Miglioramento, 17.3 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NTH4L160N120SC1
- Codice RS:
- 202-5703P
- Codice costruttore:
- NTH4L160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 2 unità (fornito in tubo)*
7,70 €
(IVA esclusa)
9,40 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 420 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 2 + | 3,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5703P
- Codice costruttore:
- NTH4L160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 224mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 111W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Tensione diretta Vf | 4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 22.74mm | |
| Lunghezza | 18.62mm | |
| Larghezza | 5.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 224mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 111W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Tensione diretta Vf 4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 22.74mm | ||
Lunghezza 18.62mm | ||
Larghezza 5.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17,3 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.
Resistenza all'accensione da drain a source 160mO
Carica di gate ultra bassa
Testato con effetto valanga al 100%
Senza piombo
Conformità RoHS