MOSFET onsemi, canale N 80 V, 4 mΩ Miglioramento, 136 A, 8 Pin, DFN, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5712P
Codice costruttore:
NTMFSC004N08MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

136A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NTMFS

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

127W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

950μm

Altezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

RoHS, MSL1

Lunghezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è dotato di 136 Ampere e 80 V. Può essere utilizzato in applicazioni di commutazione FET/carico Orring, raddrizzatore sincrono, conversione c.c.-c.c.

Advanced confezionamento raffreddato a due lati

Senza piombo

Conformità RoHS

Robusta struttura del contenitore MSL1

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