1 MOSFET onsemi Canale N, canale Tipo N, 4.5 mΩ, 60 A 40 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin NTTFD4D0N04HLTWG

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

26,65 €

(IVA esclusa)

32,525 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 8975 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
25 +1,066 €26,65 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5718
Codice costruttore:
NTTFD4D0N04HLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

WQFN

Serie

NTTF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

0.78V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Canale N

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

3.3 mm

Lunghezza

3.3mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.

Contenitore a bassa induttanza

Minori perdite di commutazione

Conformità RoHS

Link consigliati