1 MOSFET onsemi Canale N, canale Tipo N, 4.5 mΩ, 60 A 40 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin NTTFD4D0N04HLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5718
Codice costruttore:
NTTFD4D0N04HLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTTF

Tipo di package

WQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

0.78V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Canale N

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.

Contenitore a bassa induttanza

Minori perdite di commutazione

Conformità RoHS

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