1 MOSFET onsemi Canale N, canale N, 4.5 mΩ, 60 A 40 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin NTTFD4D0N04HLTWG
- Codice RS:
- 202-5718P
- Codice costruttore:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 202-5718P
- Codice costruttore:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | WQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.78V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 26W | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package WQFN | ||
Serie NTTF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensione diretta Vf 0.78V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 26W | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.75mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.
Contenitore a bassa induttanza
Minori perdite di commutazione
Conformità RoHS