1 MOSFET onsemi Doppio N, canale N, 9 Ω, 38 A 60 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin
- Codice RS:
- 202-5721P
- Codice costruttore:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
128,70 €
(IVA esclusa)
157,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 225 | 1,287 € |
| 250 + | 1,116 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5721P
- Codice costruttore:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | WQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 26W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.79V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Doppio N | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package WQFN | ||
Serie NTTF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 26W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.79V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Doppio N | ||
Altezza 0.75mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||