MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 56 mΩ Miglioramento, 58 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 202-5738P
- Codice costruttore:
- NVH4L040N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 2 unità (fornito in tubo)*
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 2 + | 18,935 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5738P
- Codice costruttore:
- NVH4L040N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 58A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | NVH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 56mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 106nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 319W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 170°C | |
| Altezza | 22.74mm | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 58A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie NVH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 56mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 106nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 319W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 170°C | ||
Altezza 22.74mm | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−4L, N?Canale, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 58 Ampere e 1200 V. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.
Certificazione AEC Q101
Possibilità di processo di approvazione delle parti di produzione
Testato con effetto valanga al 100%
Capacità di uscita effettiva bassa