MOSFET onsemi, canale N 1200 V, 160 mΩ Miglioramento, 17.3 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NVH4L160N120SC1
- Codice RS:
- 202-5743P
- Codice costruttore:
- NVH4L160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 202-5743P
- Codice costruttore:
- NVH4L160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | NVH | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 160mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 111W | |
| Tensione diretta Vf | 4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.2mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Altezza | 22.74mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie NVH | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 111W | ||
Tensione diretta Vf 4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.2mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Altezza 22.74mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17,3 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.
Certificazione AEC Q101
Testato con effetto valanga al 100%
Capacità di uscita effettiva bassa
Conformità RoHS