MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 308 mΩ, 11 A, 5 Pin, PowerFlat HV, Superficie
- Codice RS:
- 203-3439P
- Codice costruttore:
- STL19N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- STL19N60M6
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- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerFlat HV | |
| Serie | M6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 308mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 90W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 8.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Larghezza | 0.95 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerFlat HV | ||
Serie M6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 308mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 90W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 8.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Larghezza 0.95 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza MDmesh M6 a canale N STMicroelectronics incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La generazione precedente di dispositivi MDmesh tramite la nuova tecnologia M6 è stata realizzata da STMicroelectronics. Ciò combina un'eccellente RDS(ON) per miglioramento dell'area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza facile da usare per la massima efficienza delle applicazioni finali.
Perdite di commutazione ridotte
Bassa resistenza di ingresso gate
Testato con effetto valanga al 100%
Protezione Zener