MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 91 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 204-3948P
- Codice costruttore:
- STW50N65DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 204-3948P
- Codice costruttore:
- STW50N65DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | DM6 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 91mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 52.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie DM6 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 91mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener