Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale N, 0.52 Ω 1.2 kV, 12 A Miglioramento, Hip-247, Foro passante, 3 Pin
- Codice RS:
- 204-3950P
- Codice costruttore:
- SCT10N120H
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 204-3950P
- Codice costruttore:
- SCT10N120H
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.52 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 1.2 kV | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 12 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Serie | SCT10N120H | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.52 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 1.2 kV | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 12 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Serie SCT10N120H | ||
- Paese di origine:
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance