Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.52 Ω 1200 V, 12 A Miglioramento, Hip-247, Foro passante, 3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-3950P
Codice costruttore:
SCT10N120H
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.52Ω

Modalità canale

Miglioramento

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è realizzato sfruttando le proprietà avanzate e innovative dei materiali ad ampio gap di banda. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione senza precedenti per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con l'alloggiamento del dispositivo nel contenitore proprietario HiP247, consentono ai progettisti di utilizzare un contorno standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza e alta densità di potenza.

Variazione molto stretta della resistenza all'accensione rispetto alla temperatura

Capacità di temperatura di esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Bassa capacitanza