Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale N, 0.065 Ω 1.2 kV, 55 A Miglioramento, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin
- Codice RS:
- 204-3954P
- Codice costruttore:
- SCTH50N120-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 204-3954P
- Codice costruttore:
- SCTH50N120-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.065 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 1.2 kV | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 55 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Serie | SCTH50N120-7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.065 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 1.2 kV | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 55 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Serie SCTH50N120-7 | ||
- Paese di origine:
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance