Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.065 Ω 1200 V, 55 A Miglioramento, H2PAK-7, Montaggio
- Codice RS:
- 204-3954P
- Codice costruttore:
- SCTH50N120-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 204-3954P
- Codice costruttore:
- SCTH50N120-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.065Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.065Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è realizzato sfruttando le proprietà avanzate e innovative dei materiali ad ampio divario di banda. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione senza precedenti per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura.
Variazione molto stretta della resistenza on vs.
temperatura
Diodo intrinseco molto veloce e robusto
Bassa capacitanza