MOSFET Vishay, canale N 60 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 39.3 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SiJ462ADP-T1-GE3

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*

109,50 €

(IVA esclusa)

133,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 20 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
100 - 1801,095 €
200 - 4801,027 €
500 - 9800,958 €
1000 +0,89 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7215P
Codice costruttore:
SiJ462ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

39.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiJ462ADP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

22.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.14mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.25mm

Lunghezza

5.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel da 60 V (D-S) è dotato di Qg e Qoss molto bassi che riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza. I cavi flessibili forniscono una resilienza alle sollecitazioni meccaniche.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.