MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 68 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHF068N60EF-GE3
- Codice RS:
- 204-7249P
- Codice costruttore:
- SIHF068N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 204-7249P
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- SIHF068N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 68mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Larghezza | 10mm | |
| Lunghezza | 28.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.6mm | ||
Larghezza 10mm | ||
Lunghezza 28.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 16 A - SIHF068N60EF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e il controllo di potenza in sistemi industriali ed elettronici. È ottimizzato per il montaggio a foro passante in contenitori TO-220 e si adatta ad applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione e flessibilità dell'azionamento del gate. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per progetti in cui le parti convenzionali a montaggio superficiale non sono pratiche.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • L'Rds(on) di 68 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento del carico • La corrente di drenaggio continua di 16 A supporta carichi di potenza moderati • La carica di gate tipica di 51 nC consente prestazioni di commutazione prevedibili • La dissipazione di potenza massima di 39 W gestisce il carico termico nei circuiti • La tolleranza del gate di 30 V consente la compatibilità con i driver gate standard
Applicazioni
• Adatto per la commutazione sul lato rete nei convertitori industriali • Ideale per i front-end dell'azionamento del motore ad alta tensione • Utilizzato per alimentatori a commutazione che gestiscono tensioni elevate • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza in sistemi più grandi • Utilizzato con gruppi di alimentazione discreti che richiedono il montaggio a foro passante
Quali temperature estreme può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, adattandosi a condizioni di avvio a freddo e ambienti ad alta temperatura.
Come deve essere affrontata la gestione termica per un funzionamento sostenuto?
Con una dissipazione massima di 39 W, si consiglia di montare un dissipatore o un telaio per mantenere la temperatura di giunzione entro limiti sicuri durante i carichi continui.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione affidabile?
Il gate deve essere azionato entro ±30 V
la carica di gate tipica di 51 nC aiuta a stimare la corrente del driver richiesta e le perdite di commutazione.
L'imballaggio influisce sulle scelte di assemblaggio della scheda?
Il formato TO-220 a foro passante facilita l'assemblaggio con saldatura manuale o a onda e fornisce un robusto collegamento meccanico per layout ad alta potenza.