2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.0045 Ω, 101 A 30 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin SISF06DN-T1-GE3
- Codice RS:
- 204-7260P
- Codice costruttore:
- SISF06DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
110,70 €
(IVA esclusa)
135,10 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 180 | 1,107 € |
| 200 - 480 | 0,912 € |
| 500 - 980 | 0,828 € |
| 1000 + | 0,808 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 204-7260P
- Codice costruttore:
- SISF06DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 101A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0045Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69.4W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Altezza | 0.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 101A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie SiSF06DN | ||
Tipo di package PowerPAK 1212 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0045Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69.4W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Altezza 0.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||