MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 25 V, 1.25 Ω Miglioramento, 5.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 204-9959P
- Codice costruttore:
- STN6N60M2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 204-9959P
- Codice costruttore:
- STN6N60M2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.25Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Lunghezza | 6.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.25Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.8mm | ||
Lunghezza 6.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il dispositivo STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie al suo layout di striscia e a una struttura verticale migliorata, il dispositivo presenta una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi.
Carica di gate estremamente bassa
Eccellente profilo di capacità di uscita (Coss)
Testato con effetto valanga al 100%
Protezione Zener