MOSFET onsemi, canale N 80 V, 6 mΩ Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMFS006N08MC
- Codice RS:
- 205-2425P
- Codice costruttore:
- NTMFS006N08MC
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 205-2425P
- Codice costruttore:
- NTMFS006N08MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 32A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS006N08MC | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 32A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NTMFS006N08MC | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.1mm | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET MV a canale N serie Power Trench 150V DI ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
Max RDS(ON) = 11,5 MOhm a VGS è 10V, ID è 35A
Bassa perdita di conduzione
Max RDS(ON) 13,2 MOhm a VGS è 8V, ID 18A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di mosfet
Riduce il rumore di commutazione/EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1
Testato al 100% con UIL