MOSFET onsemi, canale N 100 V, 12.2 mΩ Miglioramento, 54 A, 5 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
205-2453
Codice costruttore:
NTMFS015N10MCLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTMFS

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N singolo ON Semiconductor è dotato di tensione nominale drain-source di 100V e corrente nominale di drain continua di 57A. Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR e sono conformi alla direttiva RoHS.

La resistenza da drain a source ON è 12,2 MOhm

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Azionamento motore

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