MOSFET onsemi, canale N 100 V, 12.2 mΩ Miglioramento, 54 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS015N10MCLT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
205-2454P
Codice costruttore:
NTMFS015N10MCLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Larghezza

5mm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N singolo ON Semiconductor è dotato di tensione nominale drain-source di 100V e corrente nominale di drain continua di 57A. Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR e sono conformi alla direttiva RoHS.

La resistenza da drain a source ON è 12,2 MOhm

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Azionamento motore

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