MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 100 V, 9 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NTBS9D0N10MC

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Codice RS:
205-2496
Codice costruttore:
NTBS9D0N10MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

14.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

9.6 mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET 100V a canale N singolo ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Corrente nominale di drain continua di 60A

La resistenza nominale drain-source on è 9,0 MOhm

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Prestazioni di commutazione ottimizzate

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Qrr e diodo body più bassi del settore per un'eccellente bassa rumorosità commutazione

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Elevata efficienza con picchi di commutazione e EMI ridotti

Il tipo di contenitore è D2PAK3

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