MOSFET DiodesZetex, canale N 100 V, 133 mΩ Miglioramento, 3.7 A, 8 Pin, PowerDI3333, Superficie DMN10H170SFGQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0073
Codice costruttore:
DMN10H170SFGQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerDI3333

Serie

DMN10

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

133mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

750μm

Larghezza

3.25mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 100V è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È certificato AEC-Q101, supportato da PPAP, ed è ideale per l'uso nel controllo di motori e nella funzione di gestione dell'alimentazione.

Bassa RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte

Contenitore termicamente efficiente con fattore di forma ridotto

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