MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 133 mΩ Miglioramento, 3.7 A, 8 Pin, PowerDI3333, Superficie DMN10H170SFGQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0073
Codice costruttore:
DMN10H170SFGQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DMN10

Tipo di package

PowerDI3333

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

133mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.25mm

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 100V è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È certificato AEC-Q101, supportato da PPAP, ed è ideale per l'uso nel controllo di motori e nella funzione di gestione dell'alimentazione.

Bassa RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte

Contenitore termicamente efficiente con fattore di forma ridotto

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