MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie
- Codice RS:
- 206-0140
- Codice costruttore:
- DMT4001LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,042 € | 2.605,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0140
- Codice costruttore:
- DMT4001LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT4001 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Serie DMT4001 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 40V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-source è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,6 W.
Elevata efficienza di conversione
Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo
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