MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2605,00 €

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3177,50 €

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Codice RS:
206-0140
Codice costruttore:
DMT4001LPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerDI5060

Serie

DMT4001

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 40V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-source è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,6 W.

Elevata efficienza di conversione

Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo

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