MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 59 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-220, Superficie

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Codice RS:
206-6067
Codice costruttore:
STO67N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

STO67N60DM6

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

59mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.2mm

Larghezza

9.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

11.48mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin della sorgente di azionamento extra

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