MOSFET STMicroelectronics, canale N, 54 mΩ 600 V, 34 A Miglioramento, Superficie, 8 Pin STO67N60M6
- Codice RS:
- 206-8633P
- Codice costruttore:
- STO67N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 206-8633P
- Codice costruttore:
- STO67N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 54 mΩ | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 600 V | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 34 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Serie | STO67N60M6 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 54 mΩ | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 600 V | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 34 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Serie STO67N60M6 | ||
The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
High creepage package
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin