MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 54 mΩ 600 V, 34 A Miglioramento, Montaggio superficiale, 8 Pin STO67N60M6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-8633P
Codice costruttore:
STO67N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

54mΩ

Modalità canale

Miglioramento

La tecnologia MDmesh M6 STMicroelectronics incorpora i più recenti sviluppi della famosa e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni terminali.

Riduzione delle perdite di commutazione

RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso gate

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Protezione Zener

Contenitore a scorrimento elevato

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di alimentazione supplementare