MOSFET Texas Instruments, canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, VSONP, Superficie
- Codice RS:
- 208-8482P
- Codice costruttore:
- CSD18543Q3A
- Costruttore:
- Texas Instruments
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- Codice RS:
- 208-8482P
- Codice costruttore:
- CSD18543Q3A
- Costruttore:
- Texas Instruments
Specifiche
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Texas Instruments | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 66W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.25mm | |
| Larghezza | 3.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 900μm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Texas Instruments | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 66W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.25mm | ||
Larghezza 3.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 900μm | ||
Standard automobilistico No | ||
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