MOSFET Texas Instruments, canale N 100 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, VSONP, Superficie

Visualizza MOSFET
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori

Aggiungi 100 in più per risparmiare 32,60 €

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*

73,80 €

(IVA esclusa)

90,05 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6230 unità in spedizione dal 16 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Risparmio
50 - 951,476 €-
100 - 2451,15 €32,60 €
250 +1,116 €90,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
208-8485P
Codice costruttore:
CSD19531Q5A
Costruttore:
Texas Instruments
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

VSONP

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Minima temperatura operativa

-50°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

900μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.8mm

Lunghezza

5.9mm

Standard automobilistico

No

-

-

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.