MOSFET Texas Instruments, canale Tipo P 20 V, 2.39 mΩ Miglioramento, 20 A, 6 Pin, WSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

588,00 €

(IVA esclusa)

717,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 21.000 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,196 €588,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
208-8488
Codice costruttore:
CSD25310Q2
Costruttore:
Texas Instruments
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

WSON

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.9W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2mm

Altezza

0.7mm

Larghezza

2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

-

-

Link consigliati