MOSFET Vishay, canale N 600 V, 168 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SiHB186N60EF-GE3
- Codice RS:
- 210-4975P
- Codice costruttore:
- SiHB186N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 210-4975P
- Codice costruttore:
- SiHB186N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 168mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 14.61mm | |
| Altezza | 4.06mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 168mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 14.61mm | ||
Altezza 4.06mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263).
Tecnologia della serie e di 4th generazione
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)