MOSFET Vishay, canale N 100 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 67.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR882BDP-T1-RE3
- Codice RS:
- 210-5007P
- Codice costruttore:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 240 | 1,489 € |
| 250 - 490 | 1,411 € |
| 500 - 990 | 1,351 € |
| 1000 + | 1,272 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 210-5007P
- Codice costruttore:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 67.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | SiR882BDP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83.3W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.26mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 67.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie SiR882BDP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83.3W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.26mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)
Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM
Testato al 100% Rg e UIS