MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 39 mΩ 650 V, 72 A, TO-247-4, Foro passante, 4 Pin STW68N65DM6-4AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-8749P
Codice costruttore:
STW68N65DM6-4AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido Mesh DM6. Rispetto alla precedente generazione Mesh Fast, il DM6 combina carica di recupero (Qrr), tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento dell'RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le più esigenti topologie di ponte ad alta efficienza e convertitori a spostamento di fase ZVS.

Progettato per applicazioni automobilistiche

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di alimentazione supplementare

Protezione Zener