MOSFET STMicroelectronics, canale N 1700 V, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante
- Codice RS:
- 212-2092P
- Codice costruttore:
- SCT1000N170
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 212-2092P
- Codice costruttore:
- SCT1000N170
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1700V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCT1000N170 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.66Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Larghezza | 20.15mm | |
| Altezza | 5.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCT1000N170 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.66Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Larghezza 20.15mm | ||
Altezza 5.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET SiC
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata.
Prestazioni di commutazione ad alta velocità
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Basse capacità