MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 70 mΩ, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTWA40N120G2V-4
- Codice RS:
- 212-2094
- Codice costruttore:
- SCTWA40N120G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- SCTWA40N120G2V-4
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- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 70mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 3.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 277W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Larghezza | 21.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ | ||
Tensione diretta Vf 3.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 277W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Altezza 5.1mm | ||
Larghezza 21.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET SiC
MOSFET SiC STPOWER STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 con IGBT Trench Field-STOP (TFS) della stessa tensione nominale e resistenza equivalente in stato attivo. Il MOSFET SiC STPOWER presenta perdite di commutazione notevolmente ridotte, anche a temperature elevate. Ciò consente al progettista di operare a frequenze di commutazione molto elevate, riducendo le dimensioni dei componenti passivi per fattori di forma più piccoli.
Perdite di commutazione molto basse
Basse perdite di potenza ad alte temperature
Temperatura d'esercizio più elevata (fino a 200 ˚C)
Diodo corpo senza perdite di recupero
Facile da guidare