MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 70 mΩ, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTWA40N120G2V-4

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

16,08 €

(IVA esclusa)

19,62 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 14 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
1 - 416,08 €
5 - 915,74 €
10 +14,77 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
212-2094
Codice costruttore:
SCTWA40N120G2V-4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCTWA40N120G2V-4

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

277W

Tensione diretta Vf

3.3V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.1mm

Larghezza

21.1 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET SiC


MOSFET SiC STPOWER STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 con IGBT Trench Field-STOP (TFS) della stessa tensione nominale e resistenza equivalente in stato attivo. Il MOSFET SiC STPOWER presenta perdite di commutazione notevolmente ridotte, anche a temperature elevate. Ciò consente al progettista di operare a frequenze di commutazione molto elevate, riducendo le dimensioni dei componenti passivi per fattori di forma più piccoli.

Perdite di commutazione molto basse

Basse perdite di potenza ad alte temperature

Temperatura d'esercizio più elevata (fino a 200 ˚C)

Diodo corpo senza perdite di recupero

Facile da guidare

Link consigliati