MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 70 mΩ, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante
- Codice RS:
- 212-2094P
- Codice costruttore:
- SCTWA40N120G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 212-2094P
- Codice costruttore:
- SCTWA40N120G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 70mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 277W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tensione diretta Vf | 3.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 277W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Tensione diretta Vf 3.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET SiC
MOSFET SiC STPOWER STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 con IGBT Trench Field-STOP (TFS) della stessa tensione nominale e resistenza equivalente in stato attivo. Il MOSFET SiC STPOWER presenta perdite di commutazione notevolmente ridotte, anche a temperature elevate. Ciò consente al progettista di operare a frequenze di commutazione molto elevate, riducendo le dimensioni dei componenti passivi per fattori di forma più piccoli.
Perdite di commutazione molto basse
Basse perdite di potenza ad alte temperature
Temperatura d'esercizio più elevata (fino a 200 ˚C)
Diodo corpo senza perdite di recupero
Facile da guidare