MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,059 Ω, 48 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:
212-2108
Codice costruttore:
STWA68N65DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

48 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

STWA68N65DM6

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

0,059 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.75V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

MDMESH M6 MOSFET N-CH


Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e il convertitore di fase-shift ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata