MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.059 Ω 650 V, 48 A Miglioramento, TO-247, Foro passante, 3 Pin STWA68N65DM6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
212-2109P
Codice costruttore:
STWA68N65DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.059Ω

Modalità canale

Miglioramento

MOSFET N-CH MDMesh M6


Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi di recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, il DM6 combina carica di recupero (Qrr), tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento dell'RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le più esigenti topologie di ponte ad alta efficienza e convertitore a spostamento di fase ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Robustezza dv/dt estremamente elevata