MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.059 Ω 650 V, 48 A Miglioramento, TO-247, Foro passante, 3 Pin STWA68N65DM6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
212-2109P
Codice costruttore:
STWA68N65DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

0.059 Ω

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

650 V

Massima corrente di scarico continua (Id)

48 A

Modalità canale

Miglioramento

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Serie

STWA68N65DM6

MDMesh M6 MOSFET N-CH


The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

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