MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 119 A, 4 Pin, Hip-247, Superficie SCTWA90N65G2V-4
- Codice RS:
- 213-3945P
- Codice costruttore:
- SCTWA90N65G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Prezzo per 5 unità (fornito in tubo)*
132,55 €
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161,70 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 26,51 € |
| 10 - 24 | 25,84 € |
| 25 + | 25,19 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-3945P
- Codice costruttore:
- SCTWA90N65G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 119A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 656W | |
| Tensione diretta Vf | 2.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 157nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Larghezza | 21.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 119A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 656W | ||
Tensione diretta Vf 2.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 157nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Larghezza 21.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency