MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 119 A, 4 Pin, Hip-247, Superficie
- Codice RS:
- 213-3945P
- Codice costruttore:
- SCTWA90N65G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 213-3945P
- Codice costruttore:
- SCTWA90N65G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 119A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 2.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 656W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 157nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 119A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 2.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 656W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 157nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency