MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 12.7 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1550,00 €

(IVA esclusa)

1900,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 10.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,62 €1.550,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4375
Codice costruttore:
IPD50N06S2L13ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.35mm

Larghezza

6.42 mm

Lunghezza

6.65mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre un'elevata capacità di corrente e perdite di potenza di conduzione e commutazione minime per la massima efficienza termica. Testato al 100% con effetto valanga.

La carica di gate totale ottimizzata consente stadi di uscita driver più piccoli

Link consigliati