MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 12.7 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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2500 +0,558 €1.395,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4375
Codice costruttore:
IPD50N06S2L13ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre un'elevata capacità di corrente e perdite di potenza di conduzione e commutazione minime per la massima efficienza termica. Testato al 100% con effetto valanga.

La carica di gate totale ottimizzata consente stadi di uscita driver più piccoli

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