MOSFET Infineon, canale N 150 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP051N15N5AKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4407
Codice costruttore:
IPP051N15N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.93mm

Lunghezza

10.2mm

Altezza

4.4mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre l'innovativo R DS(on) di un MOSFET Trench insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

È ideale per le applicazioni hot-swap e con fusibile elettronico

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