MOSFET onsemi, canale N 60 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 230 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS5C612NT1G-TE

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Codice RS:
214-8900
Codice costruttore:
NTMFS5C612NT1G-TE
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

230A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMFS

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.9W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.3mm

Larghezza

6.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

La serie NTMFS on Semiconductor è costituita da MOSFET a canale N con tensione drain-source di 60 V. Viene generalmente utilizzato per la rettifica sincrona, alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c. da−−e adattatori c.a.-c.c. da−.

Senza piombo

Conformità RoHS

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