MOSFET onsemi, canale N 60 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 230 A, 5 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 214-8900P
- Codice costruttore:
- NTMFS5C612NT1G-TE
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
437,20 €
(IVA esclusa)
533,40 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 500 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 240 | 4,372 € |
| 250 + | 3,791 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8900P
- Codice costruttore:
- NTMFS5C612NT1G-TE
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.9W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 60.2nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.9W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 60.2nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie NTMFS on Semiconductor è costituita da MOSFET a canale N con tensione drain-source di 60 V. Viene generalmente utilizzato per la rettifica sincrona, alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c. da−−e adattatori c.a.-c.c. da−.
Senza piombo
Conformità RoHS