MOSFET onsemi, canale N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 267 A, 8 Pin, TDFN, Superficie
- Codice RS:
- 214-8907P
- Codice costruttore:
- NTMTSC1D6N10MCTXG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 214-8907P
- Codice costruttore:
- NTMTSC1D6N10MCTXG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 267A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | NTMTS | |
| Tipo di package | TDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 106nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.9W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Larghezza | 8.5mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Lunghezza | 8.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 267A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie NTMTS | ||
Tipo di package TDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 106nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.9W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Larghezza 8.5mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Lunghezza 8.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie NTMFS on Semiconductor è costituita da MOSFET a canale N con tensione drain-source di Viene generalmente utilizzato per la rettifica sincrona e la conversione c.c.-c.c.
Senza piombo
Conformità RoHS