MOSFET onsemi, canale Tipo N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-220, Superficie NTPF450N80S3Z
- Codice RS:
- 214-8915
- Codice costruttore:
- NTPF450N80S3Z
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8915
- Codice costruttore:
- NTPF450N80S3Z
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | NTPF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 450mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 29.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.53mm | |
| Larghezza | 15.75 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie NTPF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 29.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.53mm | ||
Larghezza 15.75 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
on Semiconductor è una famiglia di MOSFET ad alte prestazioni che offre una tensione di scarica distruttiva di 800 V. È ottimizzato per l'interruttore primario del convertitore flyback, consente minori perdite di commutazione e temperatura del contenitore senza sacrificare le prestazioni EMI.
Capacità ESD migliorata con diodo Zener
Conformità RoHS
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