MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.5 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 214-9129P
- Codice costruttore:
- IRFR4104TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
69,55 €
(IVA esclusa)
84,85 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 90 | 1,391 € |
| 100 - 240 | 1,332 € |
| 250 - 490 | 1,273 € |
| 500 + | 1,186 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9129P
- Codice costruttore:
- IRFR4104TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 2.39 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 2.39 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Viene fornito con Advanced Process Technology
Il MOSFET è senza piombo